下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述中哪个是正确的（）

1、下列有关漏磁通的叙述正确的是（）。

下列有关漏磁通的叙述正确的是（）。A内部缺陷处的漏磁通，比同样大小的表面缺陷为大B缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比C表面缺陷的漏磁通密度，随着离开表面距离的增加...

2、在磁粉探伤时，缺陷处所产生的漏磁通的大小与缺陷的几何形状和方向无关

在磁粉探伤时，缺陷处所产生的漏磁通的大小与缺陷的几何形状和方向无关A正确B错误

3、铁磁性材料近表面缺陷形成的漏磁场强度的大小，和缺陷埋藏深度成正比。

铁磁性材料近表面缺陷形成的漏磁场强度的大小，和缺陷埋藏深度成正比。A正确B错误

4、下列关于缺陷漏磁通的叙述，正确的是（）

下列关于缺陷漏磁通的叙述，正确的是（）A与试件上总的磁通密度有关B与缺陷自身高度有关C磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大D以上都对

5、下列关于缺陷形成漏磁通的叙述，正确的是（）

下列关于缺陷形成漏磁通的叙述，正确的是（）AA．缺陷离试件表面越近，形成的漏磁通越小BB．在磁化状态、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受缺陷方向影响CC．交流磁化时，...

6、在磁粉探伤时，缺陷处所产生的漏磁通的大小与通过工件的（）有关，与缺陷的（）和

在磁粉探伤时，缺陷处所产生的漏磁通的大小与通过工件的（）有关，与缺陷的（）和（）有关