CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积

1、淀积的主要作用是什么？

淀积的主要作用是什么？

2、在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在950～1100℃的条件下，扩散时间大约（

在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在950～1100℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。A4～6hB50min～2hC10～40minD5～10min

3、解释质量输运限制CVD工艺和反应速度限制CVD工艺的区别，哪种工艺依赖于温度

解释质量输运限制CVD工艺和反应速度限制CVD工艺的区别，哪种工艺依赖于温度，LPCVD和APCVD各属于哪种类型？

4、在热扩散工艺中的预淀积步骤中，磷的扩散温度为（）。

在热扩散工艺中的预淀积步骤中，磷的扩散温度为（）。A600～750℃B900～1050℃C1100～1250℃D950～1100℃

5、对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms-

对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms-1，表面反应速率系数ks=1×107exp（-1.9eV/kT）cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择（1）冷壁，石墨支座型；（...

6、在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在900～1050℃的条件下，扩散时间大约（

在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在900～1050℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。A4～6hB50min～2hC10～40minD5～10min