在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）

1、N型杂质半导体中，多数载流子是（）

N型杂质半导体中，多数载流子是（）A正离子B负离子C空穴D自由电子

2、在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。

在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。A正确B错误

3、在杂质半导体中，杂质饱和电离区载流子的主要来源是本征激发的载流子。

在杂质半导体中，杂质饱和电离区载流子的主要来源是本征激发的载流子。A正确B错误

4、杂质半导体中少数载流子浓度（）

杂质半导体中少数载流子浓度（）A与掺杂浓度和温度无关B只与掺杂浓度有关C只与温度有关D与掺杂浓度和温度有关

5、（）是半导体单晶重要电学参数之一，它反映了补偿后的杂质浓度，与半导体中的载流

（）是半导体单晶重要电学参数之一，它反映了补偿后的杂质浓度，与半导体中的载流子浓度有直接关系。

6、在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） ，而多数载流子的浓度则与（）

在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） ，而多数载流子的浓度则与（）有很大关系。A温度B掺杂工艺C杂质浓度D晶体缺陷E空穴F自由电子