锗二极管的死区电压为（）V，导通电压为（）V

1、锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。

锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。

2、在下列关于锗二极管“死区电压／在额定电流范围内的正向管压降”数据中，合适的是

在下列关于锗二极管“死区电压／在额定电流范围内的正向管压降”数据中，合适的是（）。AA．0.1～0.2V／0.3VBB．0.2～0.3V／0.7VCC．0.3～0.5V／0.7VDD．0.5V／0.7V

3、硅二极管的死区电压为（）V，导通电压为（）V

硅二极管的死区电压为（）V，导通电压为（）V

4、半导体二极管具有显著的单向导电性，外加正向电压时，锗二极管的死区电压一般为（

半导体二极管具有显著的单向导电性，外加正向电压时，锗二极管的死区电压一般为（）。AA、0.1～0.3VBB、0.3～0.5VCC、0.5～0.7VDD、0.7～0.8V

5、硅二极管的死区电压一般为0.2V。

硅二极管的死区电压一般为0.2V。A正确B错误

6、锗材料二极管的死区电压为（）V。

锗材料二极管的死区电压为（）V。AA、0.1BB、0.3CC、0.5DD、0.7