某技术员在进行金瓷修复体基底冠表面处理时，用铝砂喷砂去除金一瓷结合面的包埋料

1、金瓷基底冠桥进行氧化，是在除气的基础上再加热。至预定终点温度时在非真空状态下

金瓷基底冠桥进行氧化，是在除气的基础上再加热。至预定终点温度时在非真空状态下应继续维持（）A1～2分钟B3～5分钟C5～10分钟D10～12分钟E12～15分钟

2、金瓷基底冠进行氧化处理时，理想的氧化层应为多厚

金瓷基底冠进行氧化处理时，理想的氧化层应为多厚A0．05～0．1μmB0．1～0．2μmC0．2～2μmD2～2．5μmE2．5～3μm

3、某技术员在进行金瓷修复体基底冠表面处理时，用铝砂喷砂去除金-瓷结合面的包埋料

某技术员在进行金瓷修复体基底冠表面处理时，用铝砂喷砂去除金-瓷结合面的包埋料后，以下操作步骤错误的是（）A用碳化硅磨除非贵金属基底金-瓷结合面的氧化物B用钨钢钻磨除贵金...

4、贵金属金瓷冠基底冠厚度最少不低于（）

贵金属金瓷冠基底冠厚度最少不低于（）A0.1mmB0.2mmC0.3mmD0.5mmE1.0mm

5、金瓷冠的基底冠厚度至少为（）

金瓷冠的基底冠厚度至少为（）AA.0.3mmBB.0.5mmCC.1.0mmDD.1.5mmEE.2.0mm

6、金瓷冠的基底冠金瓷衔接处的角度（）

金瓷冠的基底冠金瓷衔接处的角度（）A5°B30°C45°D90°E135°