在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是（）、（）和（）。

1、在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的（）内加入适量的氢气，能够降低刻蚀的速

在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的（）内加入适量的氢气，能够降低刻蚀的速率。A气体B等离子体C固体D液体

2、高密度等离子体刻蚀机是为亚0.25微米图形尺寸而开发的最重要的干法刻蚀系统。

高密度等离子体刻蚀机是为亚0.25微米图形尺寸而开发的最重要的干法刻蚀系统。A正确B错误

3、根据原理分类，干法刻蚀分成几种？各有什么特点？

根据原理分类，干法刻蚀分成几种？各有什么特点？

4、不可以对SiO2进行干法刻蚀所使用的气体是（）。

不可以对SiO2进行干法刻蚀所使用的气体是（）。AA.CHF3BB.C2F6CC.C3F8DD.HF

5、为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀，必须在刻蚀完毕

为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀，必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。A多晶硅B单晶硅C铝硅铜合金D铜

6、与干法刻蚀相比，湿法腐蚀的好处在于对下层材料具有高的选择比，对器件不会带来等

与干法刻蚀相比，湿法腐蚀的好处在于对下层材料具有高的选择比，对器件不会带来等离子体损伤，并且设备简单。A正确B错误