可学答题网 > 问答 > 集成电路制造工艺员(三级)题库,集成电路制造工艺员题库
目录: 标题| 题干| 答案| 搜索| 相关
问题

晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的()使得在刻蚀多晶硅电


晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的()使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。

  • An型掺杂区
  • BP型掺杂区
  • C栅氧化层
  • D场氧化层
参考答案
参考解析:

暂无解析

分类:集成电路制造工艺员(三级)题库,集成电路制造工艺员题库
相关推荐

1、航天飞行面临两个最大的环境挑战,就是()和()。

航天飞行面临两个最大的环境挑战,就是()和()。A超重B失衡C失重D地心引力

2、在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的()内加入适量的氢气,能够降低刻蚀的速

在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的()内加入适量的氢气,能够降低刻蚀的速率。A气体B等离子体C固体D液体

3、上海世博会票务工作最大的挑战就是如何(),为游客留下人性化的购票体验。

上海世博会票务工作最大的挑战就是如何(),为游客留下人性化的购票体验。A增设大量的购票点B为参观者提供便捷、安全的购票服务C如何适可而止地降低参观门票的价格

4、哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅?描述刻蚀多晶硅的三个步骤。

哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅?描述刻蚀多晶硅的三个步骤。

5、单晶硅刻蚀一般采用()做掩蔽层,以氟化氢为主要的刻蚀剂,氧气为侧壁钝化作用的

单晶硅刻蚀一般采用()做掩蔽层,以氟化氢为主要的刻蚀剂,氧气为侧壁钝化作用的媒介物。A氮化硅B二氧化硅C光刻胶D多晶硅

6、多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对()的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅

多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对()的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。A二氧化硅B氮化硅C单晶硅D多晶硅