杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中,当温度升高时,电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是()
- AA.变大,变小
- BB.变小,变大
- CC.变小,变小
- DD.变大,变大
杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中,当温度升高时,电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是()
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N型杂质半导体中,多数载流子是()A正离子B负离子C空穴D自由电子
2、半导体载流子在输运过程中,会受到各种散射机构的散射,主要散射机构有()、()
半导体载流子在输运过程中,会受到各种散射机构的散射,主要散射机构有()、()、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。
3、在杂质半导体中,杂质饱和电离区载流子的主要来源是本征激发的载流子。
在杂质半导体中,杂质饱和电离区载流子的主要来源是本征激发的载流子。A正确B错误
载流子的输运有哪些模式?对这些输运模式进行简单的描述。
杂质半导体中少数载流子浓度()A与掺杂浓度和温度无关B只与掺杂浓度有关C只与温度有关D与掺杂浓度和温度有关
6、在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度,而少数载流子的浓度则与()
在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度,而少数载流子的浓度则与()有很大关系。A温度B掺杂工艺C杂质浓度D晶体缺陷