有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。
- A正确
- B错误
有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。
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1、离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片,会导致光刻材料的阴影效
离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片,会导致光刻材料的阴影效应,阻碍离子束的注入。A正确B错误
2、在水泥胶砂强度试验中,一组三个试件的抗折强度值分别为56.5、57.8、48
在水泥胶砂强度试验中,一组三个试件的抗折强度值分别为56.5、57.8、48.9Mpa,该组试件抗折强度值为()Mpa。AA、54.2BB、57.8CC、57.2DD、56.5
最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A正确B错误
4、进行区域降水量计算时,也采用等雨量线法。假如,研究区内有三个雨量站,分别为A
进行区域降水量计算时,也采用等雨量线法。假如,研究区内有三个雨量站,分别为A、B、C实测降雨量分别为Xa=500mm,Xb=600mm,Xc=700mm,等雨量线间的面积为f1=10km2,f2=15km2,...
5、在集成电路制造工艺步骤中,光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。
在集成电路制造工艺步骤中,光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。A正确B错误
6、CASS工艺由三个区域组成,分别为()兼氧区和主反应区。
CASS工艺由三个区域组成,分别为()兼氧区和主反应区。A沉淀区B选择区C接触区D预反应区