有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。

1、离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片，会导致光刻材料的阴影效

离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片，会导致光刻材料的阴影效应，阻碍离子束的注入。A正确B错误

2、在水泥胶砂强度试验中，一组三个试件的抗折强度值分别为56.5、57.8、48

在水泥胶砂强度试验中，一组三个试件的抗折强度值分别为56.5、57.8、48.9Mpa，该组试件抗折强度值为（）Mpa。AA、54.2BB、57.8CC、57.2DD、56.5

3、最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。

最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A正确B错误

4、进行区域降水量计算时，也采用等雨量线法。假如，研究区内有三个雨量站，分别为A

进行区域降水量计算时，也采用等雨量线法。假如，研究区内有三个雨量站，分别为A、B、C实测降雨量分别为Xa=500mm，Xb=600mm，Xc=700mm，等雨量线间的面积为f1=10km2，f2=15km2，...

5、在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。

在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。A正确B错误

6、CASS工艺由三个区域组成，分别为（）兼氧区和主反应区。

CASS工艺由三个区域组成，分别为（）兼氧区和主反应区。A沉淀区B选择区C接触区D预反应区