扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散，改变了晶片（），所以晶片才能被人们

1、光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）

光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）A刻制图形B绘制图形C制作图形

2、腐蚀速率指外部腐蚀速率和内部腐蚀速率之和，同时不能忽视工艺物流中少量杂质及衬

腐蚀速率指外部腐蚀速率和内部腐蚀速率之和，同时不能忽视工艺物流中少量杂质及衬里的缺陷可能产生的影响，危险系统和腐蚀速率的关系正确的有（）。AA.腐蚀速度小于0.127mm/a，...

3、杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可分为（）扩散和（）扩散两种。

杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可分为（）扩散和（）扩散两种。

4、三极管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体构成的，故发射极和集电极可以互换使

三极管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体构成的，故发射极和集电极可以互换使用。A正确B错误

5、在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。

在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。A正确B错误

6、扩散性半导体应变计是将N型咋杂质扩散到高阻的P型硅基片上,形成一层极薄的敏感

扩散性半导体应变计是将N型咋杂质扩散到高阻的P型硅基片上,形成一层极薄的敏感层制成的A正确B错误