非晶硒FPD的优点不包括()
- A成像环节少
- B吸收率高
- C灵敏度高
- D量子检出效率高
- E无电离辐射
非晶硒FPD的优点不包括()
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X线照射到直接FPD上时,X线光子使非晶硒激发出().A可见光B电子空穴对C荧光D正电子E低能x射线
X线照射到直接FPD上时,X线光子使非晶硒激发出()A可见光B电子空穴对C荧光D正电子E低能X射线
非晶硒FPD的优点不包括()。A成像环节少B吸收率高C灵敏度高D量子检出效率高E无电离辐射
X线照射到直接FPD上时,X线光子使非晶硒激发出()A可见光B电子空穴对C荧光D正电子E低能X射线
X线照射到直接FPD上时,X线光子使非晶硒激发出()A可见光B电子空穴对C荧光D正电子E低能X射线
6、透过被照体的X线照射到平板探测器的非晶硒层时,由于非晶硒的导电特性被激发出
透过被照体的X线照射到平板探测器的非晶硒层时,由于非晶硒的导电特性被激发出电子-空穴对,即一对正负电子。该电子-空穴对在外加偏置电压形成的电场作用下被分离并反向运动,负...