探头晶片尺寸增加，近场区长度增加，对探伤不利。

1、探头的近场长度求解公式是（）。（λ：波长；ｆ：频率；D：晶片直径，A：晶片半

探头的近场长度求解公式是（）。（λ：波长；ｆ：频率；D：晶片直径，A：晶片半径）。

2、探头晶片尺寸增加，半扩散角减少，波束指向性变好，超声波能量集中。

探头晶片尺寸增加，半扩散角减少，波束指向性变好，超声波能量集中。A正确B错误

3、探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面探伤不利。

探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面探伤不利。AA、增加BB、减小CC、不变

4、探头晶片尺寸增加，对探伤有哪些不利因素？

探头晶片尺寸增加，对探伤有哪些不利因素？

5、由N=D2/4λ可知晶片尺寸增加，近场区长度迅速增加，（）。

由N=D2/4λ可知晶片尺寸增加，近场区长度迅速增加，（）。A对探伤有利B对探伤不利C半扩散角增大D超声波能量发散

6、斜探头近场区长度是按晶片在投影后的有效面积计算。

斜探头近场区长度是按晶片在投影后的有效面积计算。A正确B错误