关于高能电子束百分深度剂量曲线特点的正确描述是()。
- A大致分4部分:剂量建成区,高剂量坪区,剂量跌落区,X射线污染区
- B大致分2部分:剂量建成区,剂量指数形式衰减区
- C大致分3部分:高剂量坪区,剂量指数形式衰减区,X线污染区
- D剂量由表面开始逐渐增加,达到峰值后,剂量随深度增加而成指数形式衰减
- E和低能X线的百分深度剂量曲线形式一样
关于高能电子束百分深度剂量曲线特点的正确描述是()。
1、高能电子线深度曲线可以分为主要的三个区,这三个区划分的剂量点是()
高能电子线深度曲线可以分为主要的三个区,这三个区划分的剂量点是()Ad100和d90Bd100和d85Cd85和d90Dd50和d85Ed95和d107
2、高能电子束百分深度剂量分布曲线后部有一长长的”拖尾”,其形成原因是()
高能电子束百分深度剂量分布曲线后部有一长长的”拖尾”,其形成原因是()A随深度增加,等剂量线向外侧扩张B电子束入射距离较远C电子束入射能量较高D电子束中包含一定数量的X射...
3、电子束百分深度剂量随源皮距增加而变化的特点,哪项错误()
电子束百分深度剂量随源皮距增加而变化的特点,哪项错误()A表面剂量增加B最大剂量深度变深CX射线污染增加D剂量梯度变陡E高能电子束较低能电子束变化显著
4、由中心轴百分深度剂量(PDD)曲线可以看出,对于高能X(γ)射线()
由中心轴百分深度剂量(PDD)曲线可以看出,对于高能X(γ)射线()A能量增大时,表面剂量增加,建成区变窄,最大剂量深度减少B能量增大时,表面剂量减少,建成区增宽,最大剂...
电子束百分深度剂量曲线的高剂量“坪区”的形成原因是()A电子束无明显建成效应B电子束的皮肤剂量较高C电子束的照射范围平坦D电子束射程较短E电子束容易被散射
高能电子束的高值等剂量曲线,随深度增加()A按几何原理发散B不变C逐渐展宽D逐渐内敛E线性变化