最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。

1、光刻加工的工艺过程为：（）

光刻加工的工艺过程为：（）A①氧化②沉积③曝光④显影⑤还原⑦清洗B①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦扩散C①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦还原

2、简述光刻工艺原理及在芯片制造中的重要性？

简述光刻工艺原理及在芯片制造中的重要性？

3、对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。

对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。A正确B错误

4、光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）

光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）A刻制图形B绘制图形C制作图形

5、在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。

在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。A正确B错误

6、光刻工艺的主要流程有哪几步？什么是光刻工艺的分辨率？从物理角度看，限制分辨率

光刻工艺的主要流程有哪几步？什么是光刻工艺的分辨率？从物理角度看，限制分辨率的因素是什么？最常用的曝光光源是什么？