质半导体中，少子浓度主要取决于（）

1、考虑一个特殊的半导体样品，通过计算，已知少子辐射复合寿命为150μs，俄歇复

考虑一个特殊的半导体样品，通过计算，已知少子辐射复合寿命为150μs，俄歇复合寿命为50μs，陷阱复合过程的寿命为25μs，假设没有其它的有效复合过程，那么该材料少子的净寿命...

2、在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）

在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。A温度B掺杂工艺C杂质浓度D晶体缺陷

3、如果有相同的电阻率的掺杂锗和硅半导体，问哪一个材料的少子浓度高，为什么？

如果有相同的电阻率的掺杂锗和硅半导体，问哪一个材料的少子浓度高，为什么？

4、在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） ，而多数载流子的浓度则与（）

在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） ，而多数载流子的浓度则与（）有很大关系。A温度B掺杂工艺C杂质浓度D晶体缺陷E空穴F自由电子

5、当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿命正比于（

当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿命正比于（）A1/n0B1/△nC1/p0D1/△

6、血糖及其代谢产物测定中，“主要取决于血糖浓度及血糖与Hb的接触时间”属于（）

血糖及其代谢产物测定中，“主要取决于血糖浓度及血糖与Hb的接触时间”属于（）A全血乳酸B血液葡萄糖C全血丙酮酸D葡萄糖耐量试验E糖化血红蛋白反应速度测定