细化晶粒的根本途径是控制形核率和（）。

1、形核率越低，结晶晶粒越（）。

形核率越低，结晶晶粒越（）。

2、不利于提高非均匀形核时形核率的因素是（）

不利于提高非均匀形核时形核率的因素是（）A很大的过冷度B凹曲面的固体杂质C很大的过热度D变质处理

3、过冷度越大，固溶体合金的形核率越大，越容易获得（）的晶粒。

过冷度越大，固溶体合金的形核率越大，越容易获得（）的晶粒。A粗大B细小C不均匀D不一定

4、细化晶粒的主要途径有哪些？

细化晶粒的主要途径有哪些？

5、细化晶粒的根本途径是控制结晶时的（）及（）。

细化晶粒的根本途径是控制结晶时的（）及（）。

6、在均匀形核的开始阶段，形核率随过冷度的增加而（）。

在均匀形核的开始阶段，形核率随过冷度的增加而（）。A增加B减弱C不变D不一定