对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。

1、在深紫外曝光中，需要使用（）光刻胶。

在深紫外曝光中，需要使用（）光刻胶。ADQNBCACARCDPMMA

2、最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。

最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A正确B错误

3、有关光刻胶的显影下列说法错误的是（）。

有关光刻胶的显影下列说法错误的是（）。A负胶受显影液的影响比较小B正胶受显影液的影响比较小C正胶的曝光区将会膨胀变形D使用负胶可以得到更高的分辨率E负胶的曝光区将会膨胀变形

4、光刻胶的光学稳定通过（）来完成的。

光刻胶的光学稳定通过（）来完成的。A红外线辐射BX射线照射C加热D紫外光辐射E电子束扫描

5、光刻胶主要由（）等不同材料混合而成的。

光刻胶主要由（）等不同材料混合而成的。A树脂B感光剂CHMDSD溶剂EPMMA

6、如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。

如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。A正确B错误