电力场效应管MOSFET在使用时要防止静电击穿。
- A正确
- B错误
电力场效应管MOSFET()现象。AA、有二次击穿BB、无二次击穿CC、防止二次击穿DD、无静电击穿
电力场效应管MOSFET是理想的电压控制器件。A正确B错误
3、MOSFET管的全称是金属-氧化物-半导体场效应管,其最重要的特点是();
MOSFET管的全称是金属-氧化物-半导体场效应管,其最重要的特点是();A具有非常高的输入电阻;B具有非常小的输入电阻;C具有单向导通特性;
电力场效应管MOSFET是理想的()控制器件。AA、电压BB、电流CC、电阻DD、功率
功率场效应管漏极伏安特性可分为放大区、饱和区和击穿区A正确B错误
6、电力晶体管GTR;可关断晶闸管();功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极
电力晶体管GTR;可关断晶闸管();功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的复合管。