电力场效应管MOSFET在使用时要防止静电击穿。

1、电力场效应管MOSFET（）现象。

电力场效应管MOSFET（）现象。AA、有二次击穿BB、无二次击穿CC、防止二次击穿DD、无静电击穿

2、电力场效应管MOSFET是理想的电压控制器件。

电力场效应管MOSFET是理想的电压控制器件。A正确B错误

3、MOSFET管的全称是金属－氧化物－半导体场效应管，其最重要的特点是（）；

MOSFET管的全称是金属－氧化物－半导体场效应管，其最重要的特点是（）；A具有非常高的输入电阻；B具有非常小的输入电阻；C具有单向导通特性；

4、电力场效应管MOSFET是理想的（）控制器件。

电力场效应管MOSFET是理想的（）控制器件。AA、电压BB、电流CC、电阻DD、功率

5、功率场效应管漏极伏安特性可分为放大区、饱和区和击穿区

功率场效应管漏极伏安特性可分为放大区、饱和区和击穿区A正确B错误

6、电力晶体管GTR；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极

电力晶体管GTR；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。