MOS器件绝缘层中的可动电荷是()
- A电子;
- B空穴;
- C钠离子;
- D硅离子。
如何解决MOS器件的场区寄生MOSFET效应?
2、为减少固定电荷密度和快界面态的影响,在制备MOS器件时通常选择硅单晶的方向为
为减少固定电荷密度和快界面态的影响,在制备MOS器件时通常选择硅单晶的方向为()A【100】B【111】C【110】D【111】或【110】
用什么参数衡量MOS器件的增益?
4、CCD(电荷耦合器件)的基本单元是MOS电容,在P型硅基质上,通过氧化生成的
CCD(电荷耦合器件)的基本单元是MOS电容,在P型硅基质上,通过氧化生成的氧化膜,即二氧化硅绝缘层,再在绝缘层上通过蒸发和()形成条形金属电极就构成了MOS结构。A光刻技术B...
用MOS管作有源电阻,器件工作在什么状态?
根据阈值电压不同,常把MOS器件分为几种?