以总和为特征的膜电位包括()
- A终板电位
- B突触后电位
- C锋电位
- D感受器电位
- E发生器电位
1、细胞静息电位为-100mV,当其受到刺激后变为-110mV时的膜电位变化成为
细胞静息电位为-100mV,当其受到刺激后变为-110mV时的膜电位变化成为()AA.极化BB.复极化CC.超极化DD.反极化EE.去极化
膜电位的产生是由于()而形成静息状态下的膜电位差。AA、K+外流BB、K+内流CC、Na+外流DD、Na+内流
神经未受剌激时的膜电位称(),受剌激时的膜电位称()。
4、细胞静息电位为-90mV,当其受到刺激后变为-100mV时的膜电位变化称为(
细胞静息电位为-90mV,当其受到刺激后变为-100mV时的膜电位变化称为()。A复极化B极化C超极化D反极化E去极化
关于神经元的膜电位,正确的是()。A细胞外-60~-90mVB细胞内-60~-90mVC细胞内-90~-200mVD去激化后细胞内50~90mVE去激化后细胞内0~90mV
以总和为特征的膜电位包括()AA.终板电位BB.突触后电位CC.锋电位DD.感受器电位EE.发生器电位