哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。

1、晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电

晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。An型掺杂区BP型掺杂区C栅氧化层D场氧化层

2、单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气为侧壁钝化作用的

单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气为侧壁钝化作用的媒介物。A氮化硅B二氧化硅C光刻胶D多晶硅

3、不可以对SiO2进行干法刻蚀所使用的气体是（）。

不可以对SiO2进行干法刻蚀所使用的气体是（）。AA.CHF3BB.C2F6CC.C3F8DD.HF

4、经常用来描述时间序列的数据的是（）。

经常用来描述时间序列的数据的是（）。A直方图B散点图C饼状图D盒形图

5、多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅

多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。A二氧化硅B氮化硅C单晶硅D多晶硅

6、经常用来描述时间序列的数据的是（）。

经常用来描述时间序列的数据的是（）。A直方图B散点图C饼状图D盒形图