下列关于缺陷形成漏磁通的叙述，正确的是（）

1、下列有关漏磁通的叙述正确的是（）。

下列有关漏磁通的叙述正确的是（）。A内部缺陷处的漏磁通，比同样大小的表面缺陷为大B缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比C表面缺陷的漏磁通密度，随着离开表面距离的增加...

2、在磁粉探伤时，缺陷处所产生的漏磁通的大小与缺陷的几何形状和方向无关

在磁粉探伤时，缺陷处所产生的漏磁通的大小与缺陷的几何形状和方向无关A正确B错误

3、下列关于缺陷漏磁通的叙述，正确的是（）

下列关于缺陷漏磁通的叙述，正确的是（）A与试件上总的磁通密度有关B与缺陷自身高度有关C磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大D以上都对

4、下列关于漏磁场的叙述，正确的是：（）

下列关于漏磁场的叙述，正确的是：（）A内部缺陷处的漏磁场比同样大小的表面缺陷漏磁场大B缺陷的漏磁场通常与试件上的磁场强度成反比C表面缺陷的漏磁场，随离开表面的距离增大而...

5、在磁粉探伤时，缺陷处所产生的漏磁通的大小与通过工件的（）有关，与缺陷的（）和

在磁粉探伤时，缺陷处所产生的漏磁通的大小与通过工件的（）有关，与缺陷的（）和（）有关

6、试件上的磁通密度在大于、等于饱和磁通密度的（）%时，缺陷漏磁通开始急剧增大

试件上的磁通密度在大于、等于饱和磁通密度的（）%时，缺陷漏磁通开始急剧增大