80C51含（）掩膜ROM。

1、对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。

对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。A正确B错误

2、光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）

光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）A刻制图形B绘制图形C制作图形

3、将预先制好的掩膜直接和涂有光致抗蚀剂的晶片表面接触，再用紫外光照射来进行曝光

将预先制好的掩膜直接和涂有光致抗蚀剂的晶片表面接触，再用紫外光照射来进行曝光的方法，称为（）曝光。A接触B接近式C投影

4、在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。

在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。A正确B错误

5、在下列单片机芯片中使用掩膜ROM作为内部程序存储器的是（）

在下列单片机芯片中使用掩膜ROM作为内部程序存储器的是（）A8031B80C51C8032D87C51

6、采用无定形掩膜的情况下进行注入，若掩蔽膜/衬底界面的杂质浓度减少至峰值浓度的

采用无定形掩膜的情况下进行注入，若掩蔽膜/衬底界面的杂质浓度减少至峰值浓度的1/10000，掩蔽膜的厚度应为多少？用注入杂质分布的射程和标准偏差写出表达式。