金瓷基底冠桥进行氧化，是在除气的基础上再加热。至预定终点温度时在非真空状态下

1、金瓷基底冠进行氧化处理时，理想的氧化层应为多厚

金瓷基底冠进行氧化处理时，理想的氧化层应为多厚A0．05～0．1μmB0．1～0．2μmC0．2～2μmD2～2．5μmE2．5～3μm

2、非贵金属烤瓷桥修复，金属基底预氧化应在除气的基础上再加热至预定终点温度，在非

非贵金属烤瓷桥修复，金属基底预氧化应在除气的基础上再加热至预定终点温度，在非真空状态下继续维持的时间为（）A1minB2minC3minD4minE5min

3、烤瓷合金的预氧化是在除气的基础上，再加热至预定的终点温度，在非真空下继续维持

烤瓷合金的预氧化是在除气的基础上，再加热至预定的终点温度，在非真空下继续维持A18～20minB15～17minC11～13minD5～10minE2～4min

4、贵金属烤瓷金属基底冠桥，用何种氧化铝砂作喷砂处理（）

贵金属烤瓷金属基底冠桥，用何种氧化铝砂作喷砂处理（）AA.15～25μmBB.25～35μmCC.35～50μmDD.50～100μmEE.100～120μm

5、金属基底冠桥粗化处理时，用何种氧化铝砂喷砂处理（）

金属基底冠桥粗化处理时，用何种氧化铝砂喷砂处理（）A15～25μmB25～35μmC35～50μmD50～100μmE100～120μm

6、金属基底冠除气的方法是（）。

金属基底冠除气的方法是（）。A低于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minB低于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3minC高于烤瓷烧结温度4℃的条件下保持3minD高于烤瓷烧结温度10℃的条件...