杂质半导体中少数载流子浓度（）

1、N型杂质半导体中，多数载流子是（）

N型杂质半导体中，多数载流子是（）A正离子B负离子C空穴D自由电子

2、在杂质半导体中，杂质饱和电离区载流子的主要来源是本征激发的载流子。

在杂质半导体中，杂质饱和电离区载流子的主要来源是本征激发的载流子。A正确B错误

3、半导体中少数载流子寿命的大小主要决定于（）

半导体中少数载流子寿命的大小主要决定于（）A复合机构B散射机构C禁带宽度D晶体结构

4、在P型半导体中，（）是少数载流子。

在P型半导体中，（）是少数载流子。A空穴B电子C硅D锗

5、在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）

在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。A温度B掺杂工艺C杂质浓度D晶体缺陷

6、（）型半导体中，自由电子为少数载流子。

（）型半导体中，自由电子为少数载流子。