如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央，则它对电子的俘获率（）空穴的

1、禁带宽度的大小决定着（）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体

禁带宽度的大小决定着（）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。

2、常温下本征半导体硅的禁带宽度为（）eV。

常温下本征半导体硅的禁带宽度为（）eV。AA.1.12BB.2.14CC.1.42DD.0.92

3、说明半导体中浅能级杂质和深能级杂质的作用有何不同？

说明半导体中浅能级杂质和深能级杂质的作用有何不同？

4、在同时含有施主杂质和受主杂质的半导体中，由于受主能级比施主能级低得多，施主能

在同时含有施主杂质和受主杂质的半导体中，由于受主能级比施主能级低得多，施主能级上的电子首先要去填充受主能级，使施主向导带提供电子的能力和受主向价带提供空穴的能力因相...

5、禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，

禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。A越不容易受B...

6、材料的禁带宽度，最大的是（）

材料的禁带宽度，最大的是（）A金属；B杂质半导体；C绝缘体；D本征半导体；