IPSP的产生,是由于突触后膜对下列哪种离子通透性的增加()
- ANa+
- BCa2+
- CK+、Cl-,尤其是Cl-
- DNa+、K+、Cl-,尤其是K+
- ENa+、K+、Cl-,尤其是Na+
IPSP的产生,是由于突触后膜对下列哪种离子通透性的增加()
由于突触后膜提高了对K+、Cl,尤其是Cl的通透性,使得较多量Na+通道无法开放,增加了极化作用,造成了较大的去极化,形成IPSP。
1、抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对——的通透性增加所致()。
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对——的通透性增加所致()。ANa+、Cl-、K+,尤其是K+BCa2+K+、Cl-,尤其是Ca2+CNa+、K+,尤其是Na+DK+、Cl-,尤其是C1-EK+、Cl-、Na+,尤其是Cl-
2、兴奋性突触后电位(EPSP)是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而发生的(
兴奋性突触后电位(EPSP)是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而发生的( )AK+、Na+,尤其是K+BK+、Na+,尤其是Na+CK+、Na+、Cl-,尤其是Cl-DCa2+、K+、Cl-,尤其是Cl-EK+、Cl-,尤其是Cl-
3、兴奋性突触后电位的产生,是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性()
兴奋性突触后电位的产生,是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性()ACa2+、K+,尤其是Ca2+BCl-、K+,尤其是K+CK、Na、Cl-DNa+、Cl-,尤其是Na+ENa+、K+,尤其是Na+
4、兴奋性突触后电位的产生,是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性()
兴奋性突触后电位的产生,是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性()ACa2+、K+,尤其是Ca2+BCl-、K+,尤其是K+CK+、Na+、Cl-DNa+、Cl-,尤其是Na+ENa+、K+,尤其是Na+
5、兴奋性突触后电位的产生,是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性()。
兴奋性突触后电位的产生,是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性()。ACa2+、K+,尤其是Ca2+BCl-、K+,尤其是K+CK+、Na+、Cl-DNa+、Cl-,尤其是Na+ENa+、K+,尤其是Na+
6、兴奋性突触后电位的产生,是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性()
兴奋性突触后电位的产生,是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性()A[[CaBClCKDNa和K,尤其是NaECl和K,尤其是Cl