近场区长度在频率给定时，随晶片直径变小而（）。

1、探头的近场长度求解公式是（）。（λ：波长；ｆ：频率；D：晶片直径，A：晶片半

探头的近场长度求解公式是（）。（λ：波长；ｆ：频率；D：晶片直径，A：晶片半径）。

2、探头的近场长度由下式决定（式中λ波长，f频率，D晶片直径）（）。

探头的近场长度由下式决定（式中λ波长，f频率，D晶片直径）（）。AA、N=1.22λ/DBB、N=D/4λCC、N=D2/4λDD、N=2/D

3、探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面探伤不利。

探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面探伤不利。AA、增加BB、减小CC、不变

4、探头晶片尺寸增加，近场区长度增加，对探伤不利。

探头晶片尺寸增加，近场区长度增加，对探伤不利。A正确B错误

5、斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，近场长度随入射角的增大而（）。

斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，近场长度随入射角的增大而（）。

6、近场区长度在频率给定时随晶片直径的变小而（）。

近场区长度在频率给定时随晶片直径的变小而（）。