可学答题网 > 问答 > 集成电路工艺原理题库,电子与通信技术题库
目录: 标题| 题干| 答案| 搜索| 相关
问题

离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片,会导致光刻材料的阴影效


离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片,会导致光刻材料的阴影效应,阻碍离子束的注入。

  • A正确
  • B错误
参考答案
参考解析:

暂无解析

分类:集成电路工艺原理题库,电子与通信技术题库
相关推荐

1、为了消除静电的危害,采取的静电中和法主要有()离子流中和器。

为了消除静电的危害,采取的静电中和法主要有()离子流中和器。AA、增湿中和器BB、感应中和器CC、高压中和器DD、放射线中和器

2、例举离子注入设备的5个主要子系统。

例举离子注入设备的5个主要子系统。

3、离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的()。

离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的()。A能量B剂量

4、离子注入的主要气体源中,易燃、易爆的有()。

离子注入的主要气体源中,易燃、易爆的有()。A砷化氢B二硼化氢C三氟化硼D硅烷E氧气

5、离子注入的缺点之一是注入设备的复杂性。

离子注入的缺点之一是注入设备的复杂性。A正确B错误

6、油田注入水主要水质标准是铁离子

油田注入水主要水质标准是铁离子AA、0.1BB、0.5CC、1.0DD、1.5