下列有关烤瓷金属内冠除气的说法,正确的是()
- A除气即是用在炉内加热的方法排除合金中残留的气体,并形成氧化膜
- B贵金属需在半真空下加热10~15分钟即可
- C非贵金属需在半真空下加热5分钟即可
- D理想的氧层厚度是0.2~2μm
- E氧化层厚度与金属-烤瓷结合强度成正变关系
下列有关烤瓷金属内冠除气的说法,正确的是()
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有关烤瓷金属基底桥蜡型,说法不正确的是()A蜡型的厚度应均匀一致B表面应光滑无锐角C表面呈微小的凹凸状,利于金瓷结合D金属衔接处应避开咬合功能区,防止瓷裂E牙体缺损较大,...
有关烤瓷金属基底桥蜡型,说法不正确的是()。A蜡型的厚度应均匀一致B表面应光滑无锐角C表面呈微小的凹凸状,利于金瓷结合D金属衔接处应避开咬合功能区,防止瓷裂E牙体缺损较大...
下列有关金属-烤瓷热膨胀系数的说法正确的是()A烘烤次数增加,会降低瓷的热膨胀系数B适当增加冷却时间,可降低热膨胀系数C炉室温差大小,不会影响热膨胀系数D瓷粉调和或堆瓷时...
金属基底冠除气目的,下列说法正确的是()A去除铸造过程中形成的氧化膜B去除金属基底金属-烤瓷结合面的氧化物C排除合金中残留的气体D避免瓷熔附时出现气泡E在基底表面形成氧化膜
5、非贵金属烤瓷桥修复,金属基底预氧化应在除气的基础上再加热至预定终点温度,在非
非贵金属烤瓷桥修复,金属基底预氧化应在除气的基础上再加热至预定终点温度,在非真空状态下继续维持的时间为()A1minB2minC3minD4minE5min
下列有关金属-烤瓷热膨胀系数的说法正确的是()A烘烤次数增加,会降低瓷的热膨胀系数B适当增加冷却时间,可降低热膨胀系数C炉室温差大小,不会影响热膨胀系数D瓷粉调和或堆瓷时...