热扩散利用（）驱动杂质穿过硅的晶体结构，这种方法受到（）和（）的影响。

1、热扩散中的横向扩散通常是纵向结深的75%~85%。先进的MOS电路不希望发生

热扩散中的横向扩散通常是纵向结深的75%~85%。先进的MOS电路不希望发生横向扩散，因为它会导致沟道长度的减小，影响器件的集成度和性能。A正确B错误

2、晶体三极管的电流放大作用就是利用空穴在基区的扩散与复合这一矛盾，使扩散运动大

晶体三极管的电流放大作用就是利用空穴在基区的扩散与复合这一矛盾，使扩散运动大大超过复合。A正确B错误

3、在晶体中存在杂质时对扩散有重要的影响，主要是通过（），使得扩散系数增大。

在晶体中存在杂质时对扩散有重要的影响，主要是通过（），使得扩散系数增大。A增加缺陷浓度B使晶格发生畸变C降低缺陷浓度DA和B

4、在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。

在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。A正确B错误

5、杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为

杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。

6、硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤（）、（）和（）。

硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤（）、（）和（）。