最小电导率出现在()型半导体。
- An
- Bp
- C本征
在光线作用下,半导体的电导率增加的现象属于()。A外光电效应B内光电效应C光电发射D光导效应
2、迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于
迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度,另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电导率...
3、电磁屏蔽是用高电导率材料制成的环、栅或板放置在钢构附近适当部位,利用导体中感
电磁屏蔽是用高电导率材料制成的环、栅或板放置在钢构附近适当部位,利用导体中感应电流的去磁作用削弱附近的磁场,其方法有()。A金具材料采用非磁性的B采用封闭母线C加装屏蔽...
4、一块本征半导体样品,试描述用以增加其电导率的两个物理过程。
一块本征半导体样品,试描述用以增加其电导率的两个物理过程。
5、在半导体、气体或真空中,利用电子或空穴的最小物理实体是().
在半导体、气体或真空中,利用电子或空穴的最小物理实体是().
6、半导体受到光照时,由于吸收光子使其中的载流子浓度增大,因而导致材料的电导率增
半导体受到光照时,由于吸收光子使其中的载流子浓度增大,因而导致材料的电导率增大,称为()效应。