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为了避免()在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀,必须在刻蚀完毕


为了避免()在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀,必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。

  • A多晶硅
  • B单晶硅
  • C铝硅铜合金
  • D
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分类:集成电路制造工艺员(三级)题库,集成电路制造工艺员题库
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