下列关于缺陷漏磁通的叙述，正确的是（）

1、下列有关漏磁通的叙述正确的是（）。

下列有关漏磁通的叙述正确的是（）。A内部缺陷处的漏磁通，比同样大小的表面缺陷为大B缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比C表面缺陷的漏磁通密度，随着离开表面距离的增加...

2、在磁粉探伤时，缺陷处所产生的漏磁通的大小与缺陷的几何形状和方向无关

在磁粉探伤时，缺陷处所产生的漏磁通的大小与缺陷的几何形状和方向无关A正确B错误

3、下列关于漏磁场的叙述，正确的是：（）

下列关于漏磁场的叙述，正确的是：（）A内部缺陷处的漏磁场比同样大小的表面缺陷漏磁场大B缺陷的漏磁场通常与试件上的磁场强度成反比C表面缺陷的漏磁场，随离开表面的距离增大而...

4、下列关于缺陷形成漏磁通的叙述，正确的是（）

下列关于缺陷形成漏磁通的叙述，正确的是（）AA．缺陷离试件表面越近，形成的漏磁通越小BB．在磁化状态、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受缺陷方向影响CC．交流磁化时，...

5、试件上的磁通密度在大于、等于饱和磁通密度的（）%时，缺陷漏磁通开始急剧增大

试件上的磁通密度在大于、等于饱和磁通密度的（）%时，缺陷漏磁通开始急剧增大

6、下列关于漏磁通的叙述，正确的是（）

下列关于漏磁通的叙述，正确的是（）A内部缺陷处的漏磁通比同样大小的表面缺陷漏磁通大B缺陷的漏磁通通常与试件上的磁场强度成反比C表面缺陷的漏磁通密度，随离开表面的距离增大...