金属-SiO2-p型Si构成的MIS结构中,SiO2中分布的可动正电荷不会影响()。
- A半导体表面势
- B平带电压
- C平带电容
- D器件的稳定性
金属-SiO2-p型Si构成的MIS结构中,SiO2中分布的可动正电荷不会影响()。
1、在MIS结构的金属栅极和半导体上加一变化的电压,在栅极电压由负值增加到足够大
在MIS结构的金属栅极和半导体上加一变化的电压,在栅极电压由负值增加到足够大的正值的的过程中,如半导体为P型,则在半导体的接触面上依次出现的状态为()。A少数载流子反型状...
SiO2还原Si的开始温度为()A1200~1400℃B1600~1700℃C1800~1900℃D1400~1600℃
炼钢中,Si+O2=SiO2是吸热反应。A正确B错误
二价金属氧化物对Si-O玻璃的结构和性能有何影响?
例举并描述热生长SiO2–Si系统中的电荷有哪些?
6、CCD的基本构成是()结构,它是利用在电极下SiO2-半导体界面形成的()层
CCD的基本构成是()结构,它是利用在电极下SiO2-半导体界面形成的()层进行工作的