可控硅具有反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小（）V。

1、断开控制极后，可重复加在阳极与阴极间的最大电压叫可控硅的反向峰值电压。

断开控制极后，可重复加在阳极与阴极间的最大电压叫可控硅的反向峰值电压。A正确B错误

2、晶闸管是一种大功率的可控半导体器件，普通型晶闸管具有反向阻断特性，故又称为逆

晶闸管是一种大功率的可控半导体器件，普通型晶闸管具有反向阻断特性，故又称为逆阻型晶闸管。A正确B错误

3、晶闸管反向转折电压与反向峰值电压的关系为（）

晶闸管反向转折电压与反向峰值电压的关系为（）A反向峰值电压较小B反向转折电压较大C两者相等D反向峰值电压大于反向转折电压

4、可控硅反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小（）Ｖ。

可控硅反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小（）Ｖ。A50B80C100D120

5、晶闸管断态重复峰值电压（又称正向阻断峰值电压）的数值，规定比正向转折电压小（

晶闸管断态重复峰值电压（又称正向阻断峰值电压）的数值，规定比正向转折电压小（）V。A100B120C150D180

6、晶闸管反向阻峰值电压规定比反向击穿电压小（）。

晶闸管反向阻峰值电压规定比反向击穿电压小（）。