造成膜对Na+通透性突然增大的临界电位称（）

1、抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对——的通透性增加所致（）。

抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对——的通透性增加所致（）。ANa+、Cl-、K+，尤其是K+BCa2+K+、Cl-，尤其是Ca2+CNa+、K+，尤其是Na+DK+、Cl-，尤其是C1-EK+、Cl-、Na+，尤其是Cl-

2、兴奋性突触后电位（EPSP）是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而发生的（

兴奋性突触后电位（EPSP）是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而发生的（ ）AK+、Na+，尤其是K+BK+、Na+，尤其是Na+CK+、Na+、Cl-，尤其是Cl-DCa2+、K+、Cl-，尤其是Cl-EK+、Cl-，尤其是Cl-

3、能够造成细胞膜对Na+通透性突然增大的临界电位称为（）

能够造成细胞膜对Na+通透性突然增大的临界电位称为（）A动作电位B阈电位C局部电位D静息电位E后电位

4、突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位（）。

突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位（）。AK+、Cl-，尤其是K+BNa+、Cl-，尤其是Na+CK+、Cl-，尤其是Cl+DCa2+、Cl-，尤其是Ca2+ENa+、Cl-，尤其是Cl-

5、产生兴奋性突触后电位与后膜对哪种离子通透性增加有关（）

产生兴奋性突触后电位与后膜对哪种离子通透性增加有关（）A[KBNaCCaDClEH

6、抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致（）

抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致（）ANa+、Cl-、K+，尤其是K+BCa2+、K+、Cl-，尤其是Ca2+CNa+、K+，尤其是Na+DK+、Cl-，尤其是Cl-EK+、Ca2+、Na+，尤其是Ca2+