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在生产过程中必须使用()来完成浅沟槽隔离STI。


在生产过程中必须使用()来完成浅沟槽隔离STI。

  • A单晶硅刻蚀
  • B多晶硅刻蚀
  • C二氧化硅刻蚀
  • D氮化硅刻蚀
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分类:集成电路制造工艺员(三级)题库,集成电路制造工艺员题库
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