热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关？淀积速率的测量采用什么办法？

1、有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法？

有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法？

2、在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在950～1100℃的条件下，扩散时间大约（

在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在950～1100℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。A4～6hB50min～2hC10～40minD5～10min

3、在热扩散工艺中的预淀积步骤中，磷的扩散温度为（）。

在热扩散工艺中的预淀积步骤中，磷的扩散温度为（）。A600～750℃B900～1050℃C1100～1250℃D950～1100℃

4、对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms-

对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms-1，表面反应速率系数ks=1×107exp（-1.9eV/kT）cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择（1）冷壁，石墨支座型；（...

5、化学气相淀积薄膜的生长过程是怎样的？

化学气相淀积薄膜的生长过程是怎样的？

6、（）是与气体辉光放电现象密切想关的一种薄膜淀积技术。

（）是与气体辉光放电现象密切想关的一种薄膜淀积技术。A蒸镀B离子注入C溅射D沉积