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问题

有关预饱和技术的描述不正确的是()


有关预饱和技术的描述不正确的是()

  • A可用于各种脉冲序列
  • B最多可放六个饱和带
  • C饱和带越多抑制伪影效果越差
  • D饱和带越多扫描时间越长
  • E饱和带越窄越靠近感兴趣区抑制效果越好
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分类:放射学题库,医学三基(医技)题库
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