突触前抑制的特征是突触后膜（）

1、抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对——的通透性增加所致（）。

抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对——的通透性增加所致（）。ANa+、Cl-、K+，尤其是K+BCa2+K+、Cl-，尤其是Ca2+CNa+、K+，尤其是Na+DK+、Cl-，尤其是C1-EK+、Cl-、Na+，尤其是Cl-

2、突触前抑制的特征是突触后膜（）

突触前抑制的特征是突触后膜（）A兴奋性升高B兴奋性降低C兴奋性先升高后降低D超极化E兴奋性没有变化

3、突触前抑制的特征是突触后膜兴奋性升高。

突触前抑制的特征是突触后膜兴奋性升高。A正确B错误

4、突触前抑制的特征是突触后膜兴奋性升高。()

突触前抑制的特征是突触后膜兴奋性升高。()A正确B错误

5、突触前抑制的特征是突触后膜（）

突触前抑制的特征是突触后膜（）A兴奋性升高B兴奋性降低C兴奋性先升高后降低D超极化E兴奋性没有变化

6、抑制性突触后电位使突触后膜超极化，与之相关的离子通道是（）

抑制性突触后电位使突触后膜超极化，与之相关的离子通道是（）A钙离子通道B钠离子通道C钾离子通道D氯离子通道E镁离子通道