由中心轴百分深度剂量(PDD)曲线可以看出,对于高能X(γ)射线()
- A能量增大时,表面剂量增加,建成区变窄,最大剂量深度减少
- B能量增大时,表面剂量减少,建成区增宽,最大剂量深度增加
- C能量增大时.表面剂量减少,建成区变窄,最大剂量深度增加
- D能量增大时,表面剂量增加,建成区增宽,最大剂量深度增加
- E能量减少时,表面剂量减少,建成区增宽,最大剂量深度减少
由中心轴百分深度剂量(PDD)曲线可以看出,对于高能X(γ)射线()
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不能用于测量电子束中心轴PDD的是()A盖格计数器B指形电离室C平行板电离室D半导体探头E胶片
2、高能电子束百分深度剂量分布曲线后部有一长长的”拖尾”,其形成原因是()
高能电子束百分深度剂量分布曲线后部有一长长的”拖尾”,其形成原因是()A随深度增加,等剂量线向外侧扩张B电子束入射距离较远C电子束入射能量较高D电子束中包含一定数量的X射...
中心轴百分深度剂量(PDD)定义为()。A射野中心轴上某一深度处的吸收剂量与表面剂量的百分比B射野中心轴上模体表面的吸收剂量与参考点深度处剂量的百分比C射野中心轴上某一深...
电子束百分深度剂量曲线的高剂量“坪区”的形成原因是()A电子束无明显建成效应B电子束的皮肤剂量较高C电子束的照射范围平坦D电子束射程较短E电子束容易被散射
关于高能电子束百分深度剂量曲线特点的正确描述是()。A大致分4部分:剂量建成区,高剂量坪区,剂量跌落区,X射线污染区B大致分2部分:剂量建成区,剂量指数形式衰减区C大致分3...
不影响百分深度剂量(PDD)的参数是()A深度B表面剂量C源皮距D射线能量E射野大小