中子屏蔽体

1、磁场屏蔽---对高频交变磁场应采用（）的金属材料作屏蔽体；对低频交变磁场应采

磁场屏蔽---对高频交变磁场应采用（）的金属材料作屏蔽体；对低频交变磁场应采用铁等高导磁率的材料作屏蔽体，并保证磁路畅通。

2、防止电磁场危害防护措施之一，高频屏蔽的屏蔽体可用（）制成。

防止电磁场危害防护措施之一，高频屏蔽的屏蔽体可用（）制成。A铜B铝C铁D胶木

3、无生物屏蔽体保护的状态下，操作接触剂量率>1Sv/h的物品，此项作业应按（）

无生物屏蔽体保护的状态下，操作接触剂量率>1Sv/h的物品，此项作业应按（）风险作业来控制。A橙区B黄区C绿区D红区

4、采用高导磁材料作成屏蔽层，将磁场干扰磁力线限制在磁阻很小的磁屏蔽体内部，称为

采用高导磁材料作成屏蔽层，将磁场干扰磁力线限制在磁阻很小的磁屏蔽体内部，称为（）屏蔽。AA．静电BB．电磁CC．低频DD．驱动

5、在中子照相中需要使用转换屏，它在接受中子照射后能放出（）辐射而使X射线胶片感

在中子照相中需要使用转换屏，它在接受中子照射后能放出（）辐射而使X射线胶片感光。AαBβCγDA、B和C

6、为防止电磁干扰，在屏蔽体与干扰源的金属机壳之间所作的永久性良好的电气连接，称

为防止电磁干扰，在屏蔽体与干扰源的金属机壳之间所作的永久性良好的电气连接，称（）A工作接地B保护接地C屏蔽接地D避雷接地