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问题

为减少固定电荷密度和快界面态的影响,在制备MOS器件时通常选择硅单晶的方向为


为减少固定电荷密度和快界面态的影响,在制备MOS器件时通常选择硅单晶的方向为()

  • A【100】
  • B【111】
  • C【110】
  • D【111】或【110】
参考答案
参考解析:
分类:半导体物理题库
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