在结晶过程中，杂质对晶体成长速率（）。

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分类：化工总控工中级题库,化工总控工考试题库

金属熔池一次结晶时，晶体的成长方向（）A和散热方向一致B和散热方向相反C和散热方向无关D和热输入量有关

结晶操作时，溶液浓度对晶核形成和晶体成长有很大的影响。当饱和度低时，晶核生成（），（）生长为（）。

在熔池结晶过程中，沿各个方向均匀长大的颗粒晶体称为（）。A柱晶状B等轴晶C枝状晶

在同样的过饱和度下，较高温度时晶体成长的速率与晶核生成速率相比要（）。AA、慢BB、快CC、相等DD、无法比较

在低温结晶时，晶体成长速率主要受（）控制。AA、扩散过程BB、表面反应过程CC、传热过程DD、三者共同

碳化液在较大的过饱和度下开始结晶时，由于成核速率与相应的晶体成长速率相比要（），因此所得成品粒度会（）。AA、快，大BB、快，小CC、慢，大DD、慢，小

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