单结晶体管触发电路是利用接在发射极的（）充放电原理制作。

1、单结晶体管触发电路的移相范围是（）

单结晶体管触发电路的移相范围是（）AA、90°BB、120°CC、150°DD、180°

2、利用单结晶体管的特性，配合适当的（）（）就可构成可控硅的触发电路。

利用单结晶体管的特性，配合适当的（）（）就可构成可控硅的触发电路。

3、单结晶体管触发电路的同步电压信号来自（）。

单结晶体管触发电路的同步电压信号来自（）。AA、负载两端BB、整流电源CC、脉冲变压器DD、晶闸管

4、单结晶体管触发电路产生和输出电压波形是（）。

单结晶体管触发电路产生和输出电压波形是（）。AA、正弦波BB、直流电CC、尖脉冲DD、锯齿波

5、单结晶体管触发电路中，单结晶体管发射极的电容容量变大，控制角（）。

单结晶体管触发电路中，单结晶体管发射极的电容容量变大，控制角（）。A变小B不变C变大D其它

6、单结晶管触发电路中稳压管的作用是（）。

单结晶管触发电路中稳压管的作用是（）。A稳压B削波C滤波D整流