抑制性突触后电位产生的离子机制是()。
- ANa+内流
- BK+内流
- CCa2+内流
- DClˉ内流
- EK+外流
抑制性突触后电位产生的离子机制是()。
突触后膜电位在递质作用下发生超极化,使该突触后神经元对其他刺激的兴奋性降低,这种电位变化称为抑制性突触后电位(IPSP)。其产生机制为:抑制性中间神经元释放抑制性递质→递质作用于突触后膜受体→突触后膜对Clˉ通透性升高→突触后膜发生超极化,即产生抑制性突触后电位。
抑制性突触后电位产生的离子机制是()ANa+内流BK+内流CCa2+内流DCl-内流EK+外流
2、抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对——的通透性增加所致()。
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对——的通透性增加所致()。ANa+、Cl-、K+,尤其是K+BCa2+K+、Cl-,尤其是Ca2+CNa+、K+,尤其是Na+DK+、Cl-,尤其是C1-EK+、Cl-、Na+,尤其是Cl-
突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位()。AK+、Cl-,尤其是K+BNa+、Cl-,尤其是Na+CK+、Cl-,尤其是Cl+DCa2+、Cl-,尤其是Ca2+ENa+、Cl-,尤其是Cl-
4、抑制性突触后电位使突触后膜超极化,与之相关的离子通道是()
抑制性突触后电位使突触后膜超极化,与之相关的离子通道是()A钙离子通道B钠离子通道C钾离子通道D氯离子通道E镁离子通道
5、抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致()
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致()ANa+、Cl-、K+,尤其是K+BCa2+、K+、Cl-,尤其是Ca2+CNa+、K+,尤其是Na+DK+、Cl-,尤其是Cl-EK+、Ca2+、Na+,尤其是Ca2+
6、抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致 ( )
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致 ( )ANa+、K+,尤其是Na+BCa2+、K+、Cl-,尤其是Ca2+CNa+、Cl、K+,尤其是K+DK+、Cl-,尤其是Cl-EK+、Ca2+、Na+,尤其是Ca2+