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抑制性突触后电位产生的离子机制是()。


抑制性突触后电位产生的离子机制是()。

  • ANa+内流
  • BK+内流
  • CCa2+内流
  • DClˉ内流
  • EK+外流
参考答案
参考解析:

突触后膜电位在递质作用下发生超极化,使该突触后神经元对其他刺激的兴奋性降低,这种电位变化称为抑制性突触后电位(IPSP)。其产生机制为:抑制性中间神经元释放抑制性递质→递质作用于突触后膜受体→突触后膜对Clˉ通透性升高→突触后膜发生超极化,即产生抑制性突触后电位。

分类:神经电生理(脑电图)综合练习题库
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抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对——的通透性增加所致()。ANa+、Cl-、K+,尤其是K+BCa2+K+、Cl-,尤其是Ca2+CNa+、K+,尤其是Na+DK+、Cl-,尤其是C1-EK+、Cl-、Na+,尤其是Cl-

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突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位()。AK+、Cl-,尤其是K+BNa+、Cl-,尤其是Na+CK+、Cl-,尤其是Cl+DCa2+、Cl-,尤其是Ca2+ENa+、Cl-,尤其是Cl-

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抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致()ANa+、Cl-、K+,尤其是K+BCa2+、K+、Cl-,尤其是Ca2+CNa+、K+,尤其是Na+DK+、Cl-,尤其是Cl-EK+、Ca2+、Na+,尤其是Ca2+

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抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致 ( )ANa+、K+,尤其是Na+BCa2+、K+、Cl-,尤其是Ca2+CNa+、Cl、K+,尤其是K+DK+、Cl-,尤其是Cl-EK+、Ca2+、Na+,尤其是Ca2+