由于对氯离子通透性降低而致的肌病为()
- A高钾型周期性瘫痪
- B正常血钾型周期性瘫痪
- C低钾型周期性瘫痪
- D先天性肌强直
- E多发性肌炎
由于对氯离子通透性降低而致的肌病为()
暂无解析
1、兴奋性突触后电位(EPSP)是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而发生的(
兴奋性突触后电位(EPSP)是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而发生的( )AK+、Na+,尤其是K+BK+、Na+,尤其是Na+CK+、Na+、Cl-,尤其是Cl-DCa2+、K+、Cl-,尤其是Cl-EK+、Cl-,尤其是Cl-
由于对氯离子通透性降低而致的肌病为()A高钾型周期性瘫痪B正常血钾型周期性瘫痪C低钾型周期性瘫痪D先天性肌强直E多发性肌炎
3、IPSP的产生,是由于突触后膜对下列哪种离子通透性的增加()
IPSP的产生,是由于突触后膜对下列哪种离子通透性的增加()ANa+BCa2+CK+、Cl-,尤其是Cl-DNa+、K+、Cl-,尤其是K+ENa+、K+、Cl-,尤其是Na+
4、EPSP的产生是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性()
EPSP的产生是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性()ANa+、K+、Cl-,尤其是NaBCa+和K+CNal+、K+、Cl-,尤其是K+DNa+、K+、Cl-尤其是Cl-ENa+、K+、Cl-,尤其是Ca+
5、抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致()
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致()ANa+、Cl-、K+,尤其是K+BCa2+、K+、Cl-,尤其是Ca2+CNa+、K+,尤其是Na+DK+、Cl-,尤其是Cl-EK+、Ca2+、Na+,尤其是Ca2+
6、IPSP的产生,是由于突触后膜对下列哪种离子通透性的增加()
IPSP的产生,是由于突触后膜对下列哪种离子通透性的增加()ANa+BCa2+CK+、Cl-,尤其是Cl-DNa+、K+、Cl-,尤其是Na+ENa+、K+、Cl-,尤其是K+