晶闸管反向阻峰值电压规定比反向击穿电压小（）。

1、可控硅具有反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小（）V。

可控硅具有反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小（）V。

2、晶闸管反向转折电压与反向峰值电压的关系为（）

晶闸管反向转折电压与反向峰值电压的关系为（）A反向峰值电压较小B反向转折电压较大C两者相等D反向峰值电压大于反向转折电压

3、可控硅反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小（）Ｖ。

可控硅反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小（）Ｖ。A50B80C100D120

4、若晶闸管正向重复峰值电压为500V，反向重复峰值电压为700V，则该晶闸管的

若晶闸管正向重复峰值电压为500V，反向重复峰值电压为700V，则该晶闸管的额定电压是（）V。AA、200BB、500CC、700DD、1200

5、如某晶闸管的正向重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸

如某晶闸管的正向重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压应为（）。A700VB750VC800VD850V

6、通常选取晶闸管的正向阻断电压和反向峰值电压分别为电路中晶闸管实际承受的最大正

通常选取晶闸管的正向阻断电压和反向峰值电压分别为电路中晶闸管实际承受的最大正向电压和最大反向电压的（）倍。A1～1.5B1.5～2C2～2.5D2.5～3