不正确的刻蚀将导致硅片报废,给硅片制造公司带来损失。
- A正确
- B错误
1、芯片硅片制造厂可以分为6个独立的生产区:扩散区、()、刻蚀区、()、()和抛
芯片硅片制造厂可以分为6个独立的生产区:扩散区、()、刻蚀区、()、()和抛光区。
2、离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片,会导致光刻材料的阴影效
离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片,会导致光刻材料的阴影效应,阻碍离子束的注入。A正确B错误
3、离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格,高温退火过程能使硅片中的损伤部
离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格,高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除,掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。A正确B错误
将硅单晶棒制成硅片的过程包括哪些工艺?
5、在集成电路制造工艺步骤中,光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。
在集成电路制造工艺步骤中,光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。A正确B错误
6、净化室将硅片制造设备与外部环境隔离,免受诸如()的沾污。
净化室将硅片制造设备与外部环境隔离,免受诸如()的沾污。A颗粒B金属C有机分子D静电释放(ESD)E水